Title PN diode transient simulation

$ Grid of the structure and doping distribution

$ SILVACO International 1991

mesh rect nx=14 ny=26 smooth=1 diag.flip

x.m n=1 l=0.0 r=1.0

x.m n=14 l=5.0 r=1.0

y.m n=1 l=0.0 r=1.0

y.m n=26 l=5.0 r=1.0

$ Regions and Electrodes

region num=1 silicon

elec num=1 left length=2.31

elec num=2 bottom

$ Doping Profile

doping uniform conc=2.e14 n.type outf=dopdio

doping gauss conc=5.0e19 p.type junc=1.0 x.r=1.9 ratio=0.7

regrid doping ratio=4 log smooth.k=1 outf=meshdio dopfile=dopdio

regrid doping ratio=4 log smooth.k=1 outf=meshdio dopfile=dopdio

$ Plotting

plot.1d x.s=0.0 x.e=5.0 y.s=0.0 y.e=0.0 doping abs log pa

plot.1d x.s=1.0 x.e=1.0 y.s=0.0 y.e=5.0 doping abs log pa

plot.2d grid boundary no.top no.fill pa

plot.2d junction boundary l.elect=2 l.bound=3 l.junct=6 no.fill pa

end

File di.grd ini akan membentuk mesh yang akan digunakan untuk mensimulasikan kelakuan transien dari PN dioda. X.MESH dan Y.MESH mendefinisikan uniform rectangular grid dalam dua sumbu koordinat. Struktur dioda ini hanya mempunyai satu macam daerah yaitu berupa silicon. Electrode mendefinisikan letak elektroda pada permukaan atas dan bawah dari struktur simulasi. Doping mendefinisikan distribusi ketidakmurnian , yang terdiri dari konsentrasi n-type pada selurh bagian struktur dan p-type dengan junction setebal 1m s. Distribusi doping disimpan pada file dopdio. Regrid melakukan penghalusan grid dan menyimpannya pada file meshdio. Dan pada akhir file dilakukan plotting doping concentration dan struktur dioda tersebut. File-file yang dibentuk akan diperlukan sebagai input bagi simulasi berikutnya yang memerlukan informasi doping dari dioda.