Tugas 7
Perancangan Transistor MOSFET
Spesifikasi :
Dari buku Semiconductor Device (S.M. Sze) fig. 41 page 211
Kita asumsikan NA = doping substrat = 4.1016 cm-3, maka untuk d = 250 = 250.10-8 cm diperoleh VT = 0,45 V.
Dengan asumsi sambungan n+-p abrupt junction maka ND = 100.NA = 4.1018 cm-3.
dan
dengan :
q = 1,6.10-19 C
NA = 4.1016 cm-3
VBR = 30 V
e Si = 11,9 . 8,854.10-14
maka : e c = 6,04.105 Vcm-1
; untuk Si maka l
r = 1450
Dari spesifikasi : gm = 50
Dengan mengambil L = 1.10-4 cm maka Z = 0,8329 cm = 8,329 l m2.
Jadi kontak untuk gate adalah AG = Z.L = 8329 l m2.
Dengan asumsi LSD = 10l m, maka luas kontak alumunium untuk source dan gate adalah :
AS = A0 = Z . LSD =83,29.103 l m2.
Bandwidth dari MOS :
Hasil Rancangan :
Doping yang digunakan :
Kedalaman material :
Luas kontak Al :
Karakteristik I-V dan frekuensi tinggi :
Kurva ID-VDS :
VDS < VDS sat dimana
dan
Maka :
Grafik ID-VDS :
Kurva karakteristik frekuensi tinggi :
Dengan menggunakan rangkaian pengganti small signal untuk frekuensi tinggi :
Karakteristik frekuensi tinggi :